理論上來說，數(shù)據(jù)線是一樣的，唯一的區(qū)別就是能通過多大電流的問題，問題在于充電器能產(chǎn)生多大電壓。

可是事實(shí)是當(dāng)你用不同品牌的原裝快充數(shù)據(jù)線時(shí)并不能實(shí)現(xiàn)快充，這是什么原因那？

我們拿一加手機(jī)為例，其特殊的DASH閃充技術(shù)將手機(jī)充電速度大幅提升，3300mah電量一個(gè)小時(shí)即可充滿。

換成同樣具備快充能力的華為和小米type-c數(shù)據(jù)線后，雖然也能給一加5充電，但是并不能實(shí)現(xiàn)DASH閃充，實(shí)測充滿一加手機(jī)需要兩個(gè)小時(shí)以上。

我們可以看出來，盡管華為和小米數(shù)據(jù)線分別支持SCP和QC3.0的快充效果，但是因?yàn)槠淇斐鋮f(xié)議跟一加的DASH協(xié)議不同，更換后并不能實(shí)現(xiàn)快充效果。

這是什么原因那：其實(shí)是各大廠商為了標(biāo)榜自己手機(jī)的快充能力，對type-c數(shù)據(jù)線做了內(nèi)部更改，造成目前type-c數(shù)據(jù)線快充功不能通用。

但是對廣大消費(fèi)者來說，type-c快充數(shù)據(jù)線還是通用為好。

EMC是Electro Magnetic Compatibility的縮寫，中文翻譯為電磁兼容性，是指設(shè)備或系統(tǒng)在其電磁環(huán)境中符合要求運(yùn)行并不對其環(huán)境中的任何設(shè)備產(chǎn)生無法忍受的電磁干擾的能力。因此，EMC包括EMI(interference)和EMS(susceptibility)，也就是電磁干擾和電磁抗干擾。EMI，電磁干擾度，描述一產(chǎn)品對其他產(chǎn)品的電磁輻射干擾程度，是否會影響其周圍環(huán)境或同一電氣環(huán)境內(nèi)的其它電子或電氣產(chǎn)品的正常工作；EMS，電磁抗干擾度，描述一電子或電氣產(chǎn)品是否會受其周圍環(huán)境或同一電氣環(huán)境內(nèi)其它電子或電氣產(chǎn)品的干擾而影響其自身的正常工作。EMI又包括傳導(dǎo)干擾CE（conduction emission）和輻射干擾RE(radiation emission)以及諧波harmonic。

各種運(yùn)行的電力設(shè)備之間以電磁傳導(dǎo)、電磁感應(yīng)和電磁輻射三種方式彼此關(guān)聯(lián)并相互影響，在一定的條件下會對運(yùn)行的設(shè)備和人員造成干擾、影響和危害。20世紀(jì)80年代興起的電磁兼容EMC學(xué)科以研究和解決這一問題為宗旨，主要是研究和解決干擾的產(chǎn)生、傳播、接收、抑制機(jī)理及其相應(yīng)的測量和計(jì)量技術(shù)，并在此基礎(chǔ)上根據(jù)技術(shù)經(jīng)濟(jì)最合理的原則，對產(chǎn)生的干擾水平、抗干擾水平和抑制措施做出明確的規(guī)定，使處于同一電磁環(huán)境的設(shè)備都是兼容的，同時(shí)又不向該環(huán)境中的任何實(shí)體引入不能允許的電磁擾動。

目前各手機(jī)廠家快充協(xié)議：

主流的有高通的QC3.0（9V 2A）和QC4.0（9V 3A），QC4.0支持USB PD協(xié)議，通用的USB PD（9V 2A/9V 3A）

華為的FCP（9V 2A）

聯(lián)發(fā)科的PE（15W）

華為的 SCP有10V 4A和5V 4.5A兩種規(guī)格

OPPO的VOOC（5V 4A）

因各廠家協(xié)議不同，所以目前單純的Type c是不能實(shí)現(xiàn)全兼容的。

所以要將這些手機(jī)廠家的協(xié)議IC集成到Type c一端，或者A公一端。就可以實(shí)現(xiàn)基本百分之90的手機(jī)快充功能。

目前解決方案：

1、更改USB A公端為：帶PCB板和IC, 端子結(jié)構(gòu)為5PIN 。TYPE C端在板上集成全兼容IC 并引出5個(gè)焊盤 與五芯A公對焊！

2、USB A公還用五芯的，帶PCB板 焊接全兼容IC 并引出4個(gè)焊盤， TYPE C的公頭用目前現(xiàn)有的雙56K電阻 線材用4芯即可